Appendix B4  光の反射率
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不連続面（z＝0）における電磁場の境界条件

（１） 電場 E 、磁場 H （面電流存在しないとき） の接線成分は連続　　
（２） 電気変位 D 、磁束密度 Ｂ （面電荷存在しないとき） の法線成分は連続

説明・・・

透明な媒質の反射率：　n1 （媒質1）　⇒　n2 （媒質2）
振幅反射率：　rs ＝ E0r  ＝ sin (θi−θr) E0i sin (θi＋θr) フレネルの第1方程式	rp ＝ E0r  ＝ tan (θi−θr) E0i tan (θi＋θr) フレネルの第2方程式
パワー反射率：　Rs ＝　 ｜E0r｜2  ＝ sin (θi−θr) ｜E0i｜2 sin (θi＋θr)	Rp ＝　 ｜E0r｜2  ＝ tan (θi−θr) ｜E0i｜2 tan (θi＋θr)
パワー透過率： Ts ＝　 4n1cosθi  n22-n12sin2θi n1cosθi＋ 2  n22-n12sin2θi	Tp ＝　 4n1cosθi  n22-n12sin2θi n2cosθi＋（n1/n2） 2  n22-n12sin2θi
垂直入射
振幅反射率：　r⊥ ＝ E0r   ＝ n1−n2 、  振幅透過率：　t⊥ ＝ E0t ＝ 2n1 E0i n1＋n2 E0i n1＋n2
パワー反射率：　R⊥ ＝ ｜E0r｜2   ＝ （n1−n2）2 、　パワー透過率：　T⊥ ＝ 4n1n2 ｜E0i｜2 （n1＋n2）2 （n1＋n2）2
吸収性媒質の反射率：　１（真空）　⇒　n ＝ n ＋ iκ　（ εr ＝ ε1 ＋ iε2 ）（媒質）
垂直入射振幅反射率：　r ＝｜r｜eiθ＝ E0r   ＝ 1− εr   ＝ 1−n−iκ E0i 1＋ εr 1＋n＋iκ
垂直入射パワー反射率：　R ＝ r ･r* ＝ （1−n）2＋κ2 （1＋n）2＋κ2
n　＝ 1−R  、　 κ ＝ 2 R sinθ 1＋R＋2 R cosθ 1＋R＋2 R cosθ

（注意）　　複素屈折率のκを正に定義しています。

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